AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
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概要
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AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について,実測とTCADシミュレーションの両方から解析した.まず,ピンチオフ電圧以下のドレイン電流の温度依存性からGaN層中に活性化エネルギー0.15,0.5eVの2種類のトラップがあり,電子は空間電荷制限機構により電導していることがわかった.次にこれらの実測値を参考にTCADシミュレーションを実施した.その結果,トラップが存在することで,ドレインリーク電流が抑制されることがわかった.これは,トラップが負に帯電することで,伝導帯エネルギーが上昇し,電子に対する障壁が増加するためである.
- 2013-01-10
著者
-
山中 宏治
三菱電機 情報技総研
-
山中 宏治
三菱電機
-
中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
大石 敏之
三菱電機(株)
-
林 一夫
三菱電機(株)
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮本 恭幸
東工大
-
山口 裕太郎
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
山口 裕太郎
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機
-
大塚 浩志
三菱電機
-
林 一夫
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
大石 敏之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
大石 敏之
三菱電機
-
加茂 宣卓
三菱電機
-
山口 裕太郎
三菱電機
-
林 一夫
三菱電機
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