S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT 高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
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概要
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- 2012-07-26
著者
-
内田 浩光
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
平野 嘉仁
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
金谷 康
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
野上 洋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機 情報技総研
-
山中 宏治
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機
-
内田 浩光
三菱電機株式会社
-
内田 浩光
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
能登 一二三
三菱電機株式会社
-
能登 一二三
三菱電機(株)
-
中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
半野 嘉仁
三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機株式会社
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平野 嘉仁
三菱電機 先端技総研
-
小坂 尚希
三菱電機株式会社
-
Noto Hifumi
Information Technology R&d Center
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Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
-
中山 正敏
三菱電機
-
平野 嘉仁
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
野上 洋一
三菱電機株式会社
-
能登 一二三
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
平野 嘉仁
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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