C-10-3 GaN HEMTのソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-03-06
著者
-
平野 嘉仁
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
山中 宏治
三菱電機 情報技総研
-
山中 宏治
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機
-
大石 敏之
三菱電機株式会社
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
大石 敏之
三菱電機(株)
-
半野 嘉仁
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社
-
Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
-
中山 正敏
三菱電機
-
大塚 浩志
三菱電機
-
大石 敏之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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