C-2-90 インターデジタル型結合線路の左手系動作に基づく帯域通過フィルタ組合せ型逆相電力合成分配器(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2013-09-03

著者

• 山中 宏治

  三菱電機 情報技総研

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社

• 内田 浩光

  三菱電機株式会社

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社

関連論文

• 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例(MSTセッション)
• C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例
• C-2-46 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型高調波抑圧フィルタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• 第35回マイクロ波会議出席報告(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• CS-3-3 アクティブフェーズドアレー用Ku帯小型表面実装モジュール(CS-3. 超高速・高周波デバイス・回路・モジュールのための高密度Jisso技術, エレクトロニクス1)
• C-2-23 温度特性を考慮したFETモデルを用いたAPAA用高周波モジュールシミュレーション
• C-2-22 補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
• 補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
• C-2-102 高速移動体通信システム用ミリ波モジュール(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
• ソースインダクタ装荷多段雑音整合増幅器のソースインダクタ値の決定法及びKa帯低雑音MMIC増幅器への応用
• ソースインダクタ装荷多段雑音整合型Ku帯APAA用低雑音MMIC増幅器
• C-2-39 ソースインダクタ装荷多段雑音整合型Ku帯APAA用低雑音MMIC増幅器
• C-2-44 ソースインダクタ装荷多段雑音整合型Ka帯低雑音低反射MMIC増幅器
• FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ : 次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて)
• FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ「次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて」)
• FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ)(「次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて」)
• C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器
• C-2-33 GaN HEMTの半物理的な非線形モデルの提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-22 対向インラインスタブを用いた高調波処理による内部整合FETの高効率化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-2 固有伝送モードを用いた大信号発振解析法(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器 (マイクロ波)
• 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例(MSTセッション)
• CI-1-8 ミリ波高速移動体通信用チップセット(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
• C-10-4 GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-2-38 動的負荷線測定に基づいたGaN HEMT大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-37 C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-3 固有伝送モードを用いた発振解析法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• C-2-27 出力容量を考慮した設計による広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-29 10%の比帯域を有するC帯内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 出力容量を考慮した設計による増幅器の広帯域化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 可変容量素子及び負帰還回路を用いたKu帯周波数可変低雑音増幅器
• C-2-29 ソースインダクタ装荷形多段低雑音増幅器のソースインダクタ値決定法の検討
• C-2-28 可変容量素子及び負帰還回路を用いたKu帯周波数可変MMIC増幅器の雑音特性
• 帰還型アクティブ整合回路を用いた周波数可変低雑音MMIC増幅器
• 帰還型アクティブ整合回路を用いた周波数可変低雑音MMIC増幅器
• 帰還型アクティブ整合回路を用いた周波数可変低雑音MMIC増幅器
• 帰還型アクティブ整合回路を用いた周波数可変低雑音MMIC増幅器
• C-2-29 セル分割を特徴としたGaN HEMT 1チップ高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
• ロードプルデータを用いた多段増幅器の非線形特性計算プログラム
• ロードプルデータを用いた多段増幅器の非線形特性計算プログラム
• ソースインダクタ装荷多段雑音整合型Ku帯APAA用低雑音MMIC増幅器
• C-2-22 半物理的な非線形モデルによるデバイス構造検討手法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-19 5.8GHz高調波整合型内部整合GaN高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 第35回マイクロ波会議出席報告(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• GaN HEMT広帯域高効率増幅器(マイクロ波,超伝導)
• GaN HEMT広帯域高効率増幅器(マイクロ波,超伝導)
• GaNマイクロ波帯増幅器技術 (特集 新しい光・電波技術)
• GaN広帯域高出力MMIC増幅器 (特集 高周波・光デバイス)
• C-2-9 入出力ともに2倍波処理したX帯高効率内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
• 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
• C-10-7 緑色光照射時の等価回路パラメータ測定によるGaN HEMTのトラップ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-2-65 結合線路と伝送線路の並列接続からなる能動回路向け高調波処理回路(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス,一般セッション)
• C-2-24 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
• C-2-15 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
• 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
• 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器
• 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• 小型PKGを用いた120WX帯GaN増幅器(マイクロ波一般,学生研究会/マイクロ波一般)
• 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器 (マイクロ波)
• 方向性結合器と反射回路からなる損失性インピーダンス整合回路の基礎検討 (エレクトロニクスシミュレーション)
• 高調波整合による100W超出力GaN高出力増幅器の効率向上についての検討 (マイクロ波)
• C-2-30 小型PKGを用いた120W X帯GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-29 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-21 330W出力62%電力付加効率S帯内部高調波整合型GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-12 C帯高効率GaN HEMT発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-10-3 GaN HEMTのソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-2 デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのゲートリークの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• GaN増幅器の高効率・広帯域回路技術
• S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT 高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
• 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器(一般)
• 2011年ヨーロッパマイクロ波会議出席報告(IEEE MTT-S Japan Chapter特別講演)
• 高調波整合による100W超出力GaN高出力増幅器の効率向上についての検討(一般)
• C-2-28 S帯170W/70%パーシャル整合GaN on Si高効率高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-72 方向性結合器と負荷レプリカ回路からなる損失性インピーダンス回路(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C帯220W高効率GaN増幅器(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
• C-2-26 C帯220W高効率GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-29 トラップを考慮したGaN on Si大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-10-5 GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• 方向性結合器と反射回路からなる損失性インピーダンス整合回路の基礎検討(シミュレーション技術,一般)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析(半導体材料・デバイス)
• 2012年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
• AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
• AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
• 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
• C-2-32 小型広帯域基本波/高調波同時整合回路を用いたX帯小型高利得高出力GaN MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-31 抵抗つき2倍波処理回路をつけたL帯高効率GaN増幅・器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-90 インターデジタル型結合線路の左手系動作に基づく帯域通過フィルタ組合せ型逆相電力合成分配器(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
• CS-3-2 高周波増幅器の設計におけるシミュレータ利用の実際(CS-3.マイクロ波回路設計におけるシミュレーション技術の応用と将来動向,シンポジウムセッション)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク