AlInAs/InGaAs HEMTの信頼性
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概要
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近年, AlInAs/InGaAs HEMTに関しては主として4種類の劣化メカニズムが提唱されている. ゲート電極の沈み込み, オーミック電極の沈み込み, AlInAs層の表面変質, フッ素混入によるドーパントの不活性化, である. 我々はこれまでに高温通電試験で劣化したAlInAs/InGaAs HEMTの断面TEM像のEDX分析を行い, 高温通電でゲート電極のTiが沈み込むこと, 及びフッ素がAlInAs層に混入する事を見出している[1]. そこで今回, ゲート電極をTiから高融点金属のMoに変更し, かつ脱フッ素プロセスを適用することによってHEMTの信頼性の向上を図るとともに, この改良ざれたデバイスの信頼性が大気からのフッ素混入に支配されている可能性があることを見出したので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
石川 高英
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
宮國 晋一
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
三井 康郎
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
早藤 紀生
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
早藤 紀生
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
石田 多華生
三菱電機(株)マイクロ波デバイス開発研究所
-
三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
服部 亮
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
山本 佳嗣
三菱電機株式会社
-
山本 佳嗣
三菱電機高周波光素子事業統括部
-
山本 佳嗣
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
宮國 晋一
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮國 晋一
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
早藤 紀生
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
服部 亮
高周波光素子統括部
-
山本 佳嗣
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
石川 高英
三菱電機(株)情報電子研究所光・電波機器開発室
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