非線形シミュレーションによるループ発振抑圧用アイソレーション抵抗の決定法
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概要
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FET素子を並列に接続した高出力増幅器において,ある利得圧縮点で1/2倍波を伴うループ発振が生じることがある.この発振を抑える手法として閉ループ回路内にアイソレーション抵抗を装荷する方法があり,本報告では非線形シミュレーションを用いて,このアイソレーション抵抗を装荷する位置及びその抵抗値を計算する手法について述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
三井 康郎
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
垂井 幸宣
三菱電機株式会社
-
伊藤 康之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
今井 達也
三菱電機特機システム株式会社
-
伊藤 康之
三菱電機株式会社
-
伊東 康之
三菱電機株式会社
-
鈴木 貴美子
三菱電機株式会社
-
今井 達也
三菱電機株式会社
-
伊東 康之
宇宙開発事業団筑波宇宙センタ
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