Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器
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概要
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AIGaAs/InGaAs pseudomorphicデュアルゲートHEMTを用いたKa帯可変利得MMIC増幅器(VGA MMIC)において優れた特性を得たので報告する. デュアルゲートHEMTはシングルゲートHEMTと同じプロセスで形成することが可能である. 低雑音特性を得るために, VGA MMICの初段にはシングルゲートHEMTを用いた. また, 2段目および3段目には高利得特性かつ広い利得制御特性を得るためにデュアルゲートHEMTを用いた. 試作の結果, 周波数30〜35GHzにおいて利得30dB以上, 利得制御範囲50dB以上が得られた. 雑音が最小になるバイアス条件では, 周波数33GHzにおいて雑音指数1.4dB, 付随利得29.2dBと良好な特性が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-25
著者
-
石田 多華生
三菱電機株式会社
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
三井 康郎
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
小丸 真喜雄
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社
-
野谷 佳弘
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社
-
石田 多華生
三菱電機
-
石田 多華生
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
野谷 佳弘
三菱電機
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