AlInAs/GaInAs系高電子移動度トランジスタのフッ素混入による劣化
スポンサーリンク
概要
著者
-
石田 多華生
三菱電機株式会社
-
早藤 紀生
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
早藤 紀生
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
山本 佳嗣
三菱電機株式会社
-
山本 佳嗣
三菱電機高周波光素子事業統括部
-
山本 佳嗣
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
早藤 紀生
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
佐藤 和彦
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
早藤 紀生
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
佐藤 和彦
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
石田 多華生
三菱電機
関連論文
- C-10-22 10Gbit/sフリップフロップ内蔵分布型EA変調器駆動IC
- InP HEMTを用いた低局発電力駆動V帯モノリシックResistiveミクサ
- "半導体産業における電子材料開発の環境安全問題" (シンポジウム/口頭発表/研究論文)
- 環境安全に配慮した電子材料開発への取り組み
- CBE成長におけるSiI_4ドーピング/エッチング機能
- MBE法による傾斜基板上へのGaAs成長
- 1.4W, K帯小型モノリシック電力増幅器
- AlGaAs/InGaAsダブルヘテロHEMTを用いた高出力60GHz・70GHz帯モノリシック発振器
- V帯ドレイン注入 : レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- V帯ドレイン注入/レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- 副共振器を用いたKa帯高出力モノリシックHEMT電圧制御発振器
- モノリシック発振器における位相雑音のドレイン電圧依存性に関する一考察
- Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器
- V帯モノリシックドレインミクサ
- AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMTを用いた60GHz帯MMIC直接発振器
- 50%電力付加効率K帯MMICの増幅器
- 衛星搭載用K帯高効率MMIC電力増幅器 (特集 化合物半導体)
- 50%電力付加効率K帯MMIC増幅器
- C-10-16 マルチフィンガーHBTの熱均一動作のためのバラスト抵抗設計
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- 2211 応答曲面法による半導体チップ構造の熱的最適化(OS11-2/構造,制御,熱問題の最適化)(OS11/設計と最適化)
- 量子効果デバイス用材料技術 (化合物半導体)
- V帯ドレイン注入/レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- V帯ドレイン注入/レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器
- Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器
- Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器
- 50%電力付加効率K帯MMIC増幅器
- AIInAs/GaInAs HEMT材料におけるフッ素パッシベーション効果
- AlInAs/GaInAs HEMTにおけるFの挙動と高温通電劣化への影響
- AlInAs/GaInAs HEMTにおけるFの挙動と高温通電劣化への影響
- AlInAs/GaInAs系高電子移動度トランジスタのフッ素混入による劣化
- InP 系 HEMT 用材料のフッ素混入による不活性化 : 材料依存性
- 60W出力C帯広帯域高効率GaN-HEMT (特集 高周波・光デバイス)
- ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT : 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- Ka帯用 高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT
- Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(ミリ波技術/一般)
- Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(ミリ波技術/一般)
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- AlInAs/InGaAs HEMTの信頼性
- CBE成長におけるSiI_4ドーピング/エッチング機能
- C-2-34 埋込みPHS構造HEMTを用いた0.5W Q帯電力増幅器MMIC
- 0.7W Ka帯電力増幅器MMIC
- Ka帯低雑音MMIC増幅器
- 0.4W Q帯電力増幅器MMIC
- 単一電源動作K帯低雑音MMIC増幅器
- Ka帯低雑音増幅器MMIC
- Ka帯超低雑音MMIC増幅器 (特集 光・マイクロ波デバイス)
- 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT
- 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)