2211 応答曲面法による半導体チップ構造の熱的最適化(OS11-2/構造,制御,熱問題の最適化)(OS11/設計と最適化)
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概要
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携帯電話端末等で採用されている高周波デバイスHetero junction Bipolar Transistorでは、ジャンクション温度が高周波特性に対して大きな影響を及ぼす。したがって、エアブリッジの金メッキ長、エミッタフィンガー間のピッチ、GaAs基板の厚さといった形状設計パラメータを熱的に最適化して、熱抵抗を低減する必要がある。本用途に対し、応答曲面法を適用したパラメータ感度解析を行い、チップの幾何形状における設計変数がジャンクション温度に及ぼす影響・感度を明らかにしたので報告する。
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2001-11-01
著者
-
大串 哲朗
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
大串 哲朗
三菱電機先端技術総研
-
小林 孝
三菱電機株式会社設計システム技術センター
-
大串 哲朗
三菱電気(株)中央研究所
-
小林 孝
三菱電機設計システム技術センター
-
山本 佳嗣
三菱電機高周波光素子事業統括部
-
大串 哲朗
三菱電機 先端技術総合研
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