AlInAs/GaInAs HEMTにおけるFの挙動と高温通電劣化への影響
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概要
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AlInAs/GaInAs HEMT材料へのF混入に伴う電気的特性の劣化に関し, AlInAs中でのF混入によるドナーの不活性化機構を検討し, 従来のモデルに新たな反応を考慮することで実験値とよく合致することを示した. その結果をもとに, 混入したFがHEMTの電気的特性に及ぼす影響を調査し, 信頼性向上につながると考えられる手法として, 脱フッ素プロセスを用いて作製したHEMTおよび逆HEMT構造を試作した. 両手法とも信頼性向上効果が認められ, 特に, 逆HEMT構造においては125℃におけるMTTFで10^6時間以上の優れた結果を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-10-08
著者
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早藤 紀生
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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早藤 紀生
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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山本 佳嗣
三菱電機株式会社
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山本 佳嗣
三菱電機高周波光素子事業統括部
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山本 佳嗣
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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早藤 紀生
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
佐藤 和彦
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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早藤 紀生
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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佐藤 和彦
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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