早藤 紀生 | 三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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概要
関連著者
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早藤 紀生
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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早藤 紀生
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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早藤 紀生
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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山本 佳嗣
三菱電機株式会社
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山本 佳嗣
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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佐藤 和彦
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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山本 佳嗣
三菱電機高周波光素子事業統括部
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早藤 紀生
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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佐藤 和彦
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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孝治 吉春
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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山田 隆裕
山口県産業技術センター
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和泉 茂一
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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佐藤 和彦
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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高宮 三郎
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
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園田 琢二
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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山本 佳嗣
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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山田 隆裕
山口県産業技術センター 材料技術部
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石川 高英
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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石田 多華生
三菱電機株式会社
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宮國 晋一
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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三井 康郎
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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釆女 豊
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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采女 豊
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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和泉 茂一
宇部工業高等専門学校制御情報工学科
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村土 定瞭
宇部工業高等専門学校物質工学科
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釆女 豊
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
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和泉 茂一
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
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早藤 紀生
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
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園田 琢二
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
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石田 多華生
三菱電機(株)マイクロ波デバイス開発研究所
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三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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服部 亮
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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宮國 晋一
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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宮國 晋一
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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釆女 豊
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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服部 亮
高周波光素子統括部
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園田 琢二
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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高宮 三郎
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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石田 多華生
三菱電機
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村上 定瞭
広島商船高等専門学校
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石川 高英
三菱電機(株)情報電子研究所光・電波機器開発室
著作論文
- "半導体産業における電子材料開発の環境安全問題" (シンポジウム/口頭発表/研究論文)
- 環境安全に配慮した電子材料開発への取り組み
- CBE成長におけるSiI_4ドーピング/エッチング機能
- MBE法による傾斜基板上へのGaAs成長
- 量子効果デバイス用材料技術 (化合物半導体)
- AIInAs/GaInAs HEMT材料におけるフッ素パッシベーション効果
- AlInAs/GaInAs HEMTにおけるFの挙動と高温通電劣化への影響
- AlInAs/GaInAs HEMTにおけるFの挙動と高温通電劣化への影響
- AlInAs/GaInAs系高電子移動度トランジスタのフッ素混入による劣化
- InP 系 HEMT 用材料のフッ素混入による不活性化 : 材料依存性
- AlInAs/InGaAs HEMTの信頼性
- CBE成長におけるSiI_4ドーピング/エッチング機能