InP 系 HEMT 用材料のフッ素混入による不活性化 : 材料依存性
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概要
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フッ素の侵入によるAlInAs結晶の熱劣化現象を解明する目的で,熱劣化現象の材料依存性および混入フッ素の挙動を調査し,熱処理によるフッ素の混入およびキャリア濃度の減少は, AlInAs,すなわちAlAsとInAsの組合わせの場合にのみ起こり,その度合いはAlAsとInAsの組成比が約1対1の場合に最も大きくなること,熱処理したSiドープAlInAs中にはSi-F結合が形成されることを初めて見出し, Si-F散乱因子形成による熱劣化機構を提案した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-20
著者
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早藤 紀生
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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早藤 紀生
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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高宮 三郎
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
園田 琢二
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
山本 佳嗣
三菱電機株式会社
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山本 佳嗣
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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早藤 紀生
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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園田 琢二
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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高宮 三郎
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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