7)超階段接合型APDの増倍特性(第51回テレビジョン電子装置研究会)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1975-09-01
著者
-
高宮 三郎
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
高宮 三郎
三菱電機中研
-
高宮 三郎
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
近藤 明博
三菱電機中央研究所
-
白幡 潔
三菱電機中央研究所
-
白幡 潔
三菱電機
関連論文
- MBE法による傾斜基板上へのGaAs成長
- HClガスエッチング・MOCVD複合プロセスによるAlGaAs上GaAs再成長層の高品質化
- InP 気相エピタキシャル成長における重力効果(無重力下における結晶成長)
- InP 系 HEMT 用材料のフッ素混入による不活性化 : 材料依存性
- エピタキシャル成長によるSi-P^+πPNνN^+構造の形成 : エピタキシー (LPE, VPE)
- Two Steps Epitaxial Growth法による界面不純物分布の制御 : 結晶成長一般
- 2C6 イノベーションサイクルと企業内企業家
- アバランシュホトダイオ-ドの接合における均一性の限界と定量的評価の一方法
- 光検出器 (光ファイバ通信)
- 7)超階段接合型APDの増倍特性(第51回テレビジョン電子装置研究会)
- 低雑音シリコンアバランシェホトダイオ-ド
- 1キャリヤアバランシェにおけるAPDの雑音特性の級数的表現(技術談話室)
- 拡散電流を含むアバランシホトダイオ-ドの周波数特性