拡散電流を含むアバランシホトダイオ-ドの周波数特性
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- エピタキシャル成長によるSi-P^+πPNνN^+構造の形成 : エピタキシー (LPE, VPE)
- アバランシュホトダイオ-ドの接合における均一性の限界と定量的評価の一方法
- 光検出器 (光ファイバ通信)
- 7)超階段接合型APDの増倍特性(第51回テレビジョン電子装置研究会)
- 低雑音シリコンアバランシェホトダイオ-ド
- 1キャリヤアバランシェにおけるAPDの雑音特性の級数的表現(技術談話室)
- 拡散電流を含むアバランシホトダイオ-ドの周波数特性