HClガスエッチング・MOCVD複合プロセスによるAlGaAs上GaAs再成長層の高品質化

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概要

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• 高Al組成AlGaAs上再成長層の結晶品質向上を目的にin situ HClガスエッチング・MOCVD複合プロセスの検討を行なった。低温HCl処理(350℃)を含む2段階HClガスエッチング・MOCVD複合プロセスによりAl_0.48>Ga_0.52>As上再成長界面への炭素不純物の偏析はSIMSの検出限界以下まで抑制され、酸素不純物の偏析量も従来の1, 5以下に低減された。再成長GaAs層の転位密度は1x10^3cm^-2>と連続成長と同等の結晶品質が実現できた。本手法により作製されたGaAs/AlGaAs再成長DH構造のキャリア寿命はτ=1.0nsecと連続成長と比較し得る界面特性を有している。この結果はAlGaAs上の再成長層をそのままデバイスの活性領域に適用できる可能性を示唆しており、AlGaAs系材料のin situプロセスがデバイス品質をともなって実現可能であることがはじめて示された。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1994-05-20

著者

• 高宮 三郎

  三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 宮下 宗治

  三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 杵築 弘隆

  三菱電機(株)高周波光素子事業統括部:heinrich-hertz-institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh

• 杵築 弘隆

  三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 藤井 就亮

  三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 三橋 豊

  三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 三橋 豊

  三菱電機株式会社光マイクロ波デバイス開発研究所

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