InP 気相エピタキシャル成長における重力効果(<特集>無重力下における結晶成長)
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概要
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The effct of gravity on Vapor Phase Epitaxy of compound semiconductor was studied. The VPE growth experiments of InP in closed ampoules with halide transport agent were conducted on the ground and in a microgravity environment by German Spacelab mission D-2. It was fooud that epitaxial layer thickness distribution have various patterns and they are highly influenced by the gravity on the ground. However, the ones in a microgravity are almost flat and are mainly governed by diffusion processes.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1994-09-25
著者
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木村 忠
静岡大
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高宮 三郎
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
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西村 隆司
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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西村 隆司
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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木村 忠
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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高宮 三郎
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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小野 博
株式会社 宇宙環境利用研究所
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木村 忠
静岡大 電子工研
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西村 隆司
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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