MBE法による傾斜基板上へのGaAs成長
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概要
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GaAs系材料のMBE成長用基板の面方位を(100)面から傾斜させることにより,表面欠陥,転位の低減を検討した.さらに実デバイスへの適用を考慮して,ドーピング特性や少数キャリア寿命の基板面方位依存性についても詳細に調査した.(100)面から[011]方向へ5゜〜10゜傾斜させた基板を用いることにより,低欠陥の高品質なGaAsの成長が可能であることを見出した.傾斜基板の採用は少数キャリアを用いるHBT等の信頼性向上に有効である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-18
著者
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釆女 豊
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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采女 豊
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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早藤 紀生
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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早藤 紀生
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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釆女 豊
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
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和泉 茂一
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
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早藤 紀生
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
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園田 琢二
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
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高宮 三郎
三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所
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園田 琢二
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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釆女 豊
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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早藤 紀生
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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