量子効果デバイス用材料技術 (化合物半導体<特集>)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 三菱電機エンジニアリングの論文

著者

• 早藤 紀生

  三菱電機(株)高周波光素子事業統括部

• 早藤 紀生

  三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 早藤 紀生

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

関連論文

• "半導体産業における電子材料開発の環境安全問題" (シンポジウム/口頭発表/研究論文)
• 環境安全に配慮した電子材料開発への取り組み
• CBE成長におけるSiI_4ドーピング/エッチング機能
• MBE法による傾斜基板上へのGaAs成長
• 量子効果デバイス用材料技術 (化合物半導体)
• AIInAs/GaInAs HEMT材料におけるフッ素パッシベーション効果
• AlInAs/GaInAs HEMTにおけるFの挙動と高温通電劣化への影響
• AlInAs/GaInAs HEMTにおけるFの挙動と高温通電劣化への影響
• AlInAs/GaInAs系高電子移動度トランジスタのフッ素混入による劣化
• InP 系 HEMT 用材料のフッ素混入による不活性化 : 材料依存性
• AlInAs/InGaAs HEMTの信頼性
• CBE成長におけるSiI_4ドーピング/エッチング機能

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク