CBE成長におけるSiI_4ドーピング/エッチング機能
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概要
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CBE成長において4ヨウ化珪素(Silicon tetraiodide: SiI4)を用いた GaAs, InPへの新しいn型ドーピング方法を確立した. Si-GaAsのキャリア濃度はSiI4流量の増加に伴いリニアに増加し, GaAsでは2×10^<16>〜6×10^<18>cm^<-3>の範囲で制御できる. またメモリー効果のない急峻なSiドーピング制御性と, その活性化率がSi-GaAs, InP中で100%であることを明らかにした. 更にSiI4はエッチングガスとしても作用し, GaAsのエッチング速度が数ML/min程度(基板温度: 500〜600℃)であることも分かった. 以上の結果からSiI4はn型ドーピングガスのみではなく, エッチングガスとしても有効であり, その適用は新たなin-situ界面制御法としても期待される.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-10-08
著者
-
早藤 紀生
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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和泉 茂一
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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早藤 紀生
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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佐藤 和彦
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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早藤 紀生
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
佐藤 和彦
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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