V帯モノリシックドレインミクサ
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概要
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ミリ波帯では無線LAN、衝突防止レーダなど実用化ヘ向けたシステムの開発が盛んである。この衝突防止レーダではIF周波数が低く、HEMTなどの低周波雑音の影響を受けやすい。今回、我々はV帯においてGaAs HEMTを用いてドレイン注入型ミクサを試作し、デバイス構造による利得・雑音特性について検討したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
石田 多華生
三菱電機株式会社
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
三井 康郎
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社
-
三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社
-
石田 多華生
三菱電機
-
石田 多華生
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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