GaAs FETの低電圧,高効率動作時における直流特性の検討
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概要
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アナログ移動体通信用高出力増幅器には低電圧,高効率動作が求められている.ここでは,FETの直流特性から直接,出力電力,効率を求める計算法(DEPcal Method)を用いて,低電圧,高効率動作に適したGaAs FETの直流特性について検討を行い,低電圧(3.3V)動作時に高効率が得られるFETの直流特性の条件を求めたので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
三井 康郎
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
森 一富
三菱電機株式会社
-
伊藤 康之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
伊藤 康之
三菱電機株式会社
-
伊東 康之
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社
-
伊東 康之
宇宙開発事業団筑波宇宙センタ
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