埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器
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概要
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出力3WのX帯MMIC増幅器を開発した。このMMICは, 通常のMESFETと比較して, 熱抵抗が小さく, 寄生ソースインダクタンスの小さい, 埋め込みPHS構造のMESFETを使用している。また, 整合回路に集中定数素子を用いることにより, チップサイズの小型化を行った。出力35dBm, 利得15dB, 電力付加効率32%の良好な性能を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-22
著者
-
石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
塚原 良洋
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
佐々木 善伸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
三井 康郎
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
石川 高英
三菱電機株式会社
-
国井 徹郎
三菱電機株式会社
-
三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
細木 健治
三菱電機株式会社
-
細木 健治
三菱電気株式会社光マイクロ波デバイス開発研究所
-
細木 健治
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
塚原 良洋
三菱電機株式会社
-
佐々木 善伸
三菱電機株式会社
-
塚原 良洋
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
佐々木 善伸
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
小崎 克也
三菱電機株式会社
-
奥田 康典
三菱電機株式会社
-
川埜 肇
三菱電機株式会社
-
三井 康郎
三菱電機
-
塚原 良洋
三菱電機 高周波光デバイス製作所
-
塚原 良洋
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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