GaAs基板上のMIM(Metal Insulator Metal)キャパシタへの重粒子照射
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概要
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マルチメディア通信衛星のニーズの高まりに伴いマイクロ波通信のキーデバイスである宇宙用GaAs MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)の信頼性の重要度が増している.これまで, 筆者らを含めGaAs MMICのγ線, X線等の電離放射線の耐性に関する報告はあるが, 重粒子が照射されたときの影響についての調査は少ない.特に今回は, MMICの構成要素として重要な部品であるGaAs基板上のMIMキャパシタに関して重粒子照射中の耐圧及びTDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)寿命を評価した.この結果, 重粒子照射中にMIMの絶縁耐圧が大きく低下することがわかった.しかし, 低電圧時のTDDB寿命の低下はほとんどないことが予測される結果を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-09-25
著者
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
矢嶋 孝太郎
三菱電機(株)半導体基盤技術統括部
-
佐々木 肇
三菱電機(株)半導体基盤技術統括部
-
水口 澄
三菱電機(株)半導体基盤技術統括部
-
小丸 真喜雄
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
松田 純夫
宇宙開発事業団
-
松崎 一浩
宇宙開発事業団
-
松田 純夫
宇宙航空研究開発機構総合技術研究本部
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社
-
浅野 透
鎌倉製作所
-
小丸 真喜雄
高周波光素子事業統括部
-
松本 暁洋
宇宙開発事業団 電子・情報系技術研究部
-
松田 純夫
宇宙開発事業団技術研究部
-
松本 暁洋
宇宙開発事業団技術研究本部電子・情報系技術研究部
-
松崎 一浩
宇宙開発事業団 電子・情報系技術研究部
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