宇宙用高性能太陽電池の開発状況 : NASDAにおける取り組み
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概要
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地上用として開発されたInGaP/InGaAs/Ge3接合構造超高効率III-V族半導体太陽電池に対し, その技術を宇宙用に応用するための指針を得る目的で, その耐放射線性を検討した. その結果, 最も放射線損傷の影響が表れるのはInGaAs中間太陽電池であり, これに最も損傷を与える100keV台のエネルギーを有する陽子線およびこれと等価のエネルギーを有する電子線に対する耐放射線性を向上させることが, 3接合太陽電池全体の耐放射線性の改善に有効であることを見出した. さらに, InGaAs中間太陽電池について, In組成比が小さい方が寿命末期における電力出力に関して有利であることを明らかにした.
- 2001-06-22
著者
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松田 純夫
宇宙開発事業団
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松田 純夫
宇宙航空研究開発機構総合技術研究本部
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今泉 充
宇宙開発事業団技術研究部
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今泉 充
宇宙開発事業団技術研究本部宇宙エレクトロニクス技術グループ
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安沢 修
宇宙開発事業団技術研究本部技術研究部
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松田 純夫
宇宙開発事業団技術研究部
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