PMOS型放射線吸収線量計の評価(その2)
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概要
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MOSFETに放射線を照射すると、しきい値電圧が変動することが知られている。この変化を利用し、MOSFETを放射線吸収線量計として使用することができる。一般用途向けに放射線吸収線量計として開発されたものに、MMRC社(アイルランド)のRADFETがある。このRADFETを宇宙用放射線吸収線量計として適用するための評価として、放射線照射試験を実施した。本稿では、その評価結果について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-27
著者
-
松田 純夫
宇宙開発事業団
-
大平 秀春
菱栄テクニカ
-
木本 雄吾
宇宙航空研究開発機構
-
木本 雄吾
宇宙開発事業団
-
松田 純夫
宇宙航空研究開発機構総合技術研究本部
-
中村 正夫
日本アビオニクス株式会社
-
中村 正夫
宇宙開発事業団
-
松田 純夫
宇宙開発事業団技術研究本部技術研究部
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