GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション
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概要
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高温DC通電試験中にGaAs ICのAu配線中にボイドが発生した。本ボイドは試験時間の増加と共に低電位側に移動する。本ボイドの移動は電子の移動と反対方向である。ボイドの移動速度はボイド高電位側エッジより低電位側エッジの方が大きく、その結果ボイド領域は伸長する。ボイドの移動速度は配線における電流密度にほぼ比例して増加する。本ボイドの移動はAu原子がエレクトロマイグレーションによって高電位方向に移動するためと考えられる。ボイドの低電位側エッジの移動速度の活性化エネルギーは0.84eVである。GaAs ICはボイドの発生とほぼ同時に故障する。本GaAs ICのMTF(Mean Time to Failure)の活性化エネルギーは0.89eVであり、これはボイドの低電位側エッジ移動速度の活性エネルギーとほぼ等しい。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-20
著者
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所光素子部
-
谷野 憲之
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
矢嶋 孝太郎
三菱電機(株)半導体基盤技術統括部
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
太田 彰
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
平間 哲也
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
太田 彰
三菱電機株式会社
-
平間 哲也
三菱電機株式会社
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
矢嶋 孝太郎
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
谷野 憲之
三菱電機
-
矢嶋 孝太郎
三菱電機株式会社
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社
-
谷野 憲之
三菱電機株式会社
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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