高周波デバイスの高電界・高湿度環境下における劣化メカニズムと信頼性改善 (特集 高周波・光デバイス)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- AlGaAs/InGaAs PHEMTの劣化メカニズム(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- AlGaAs/InGaAs PHEMTの大信号動作時の劣化機構 : 高電界による半導体表面劣化(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル
- メッシュ状エアブリッジを用いたディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs 100Kgatesゲートアレイ
- GaAs-FETゲート部に対するUV&オゾン酸化と追加ECRプラズマ窒化の効果(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション
- GaAsゲートアレイ用デジタル可変遅延マクロセルの開発
- ディジタル可変遅延回路マクロセル搭載可能 GaAs 10KゲートGate Array
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル
- メッシュ状エアブリッジを用いたディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs 100Kgatesゲートアレイ
- メッシュ状エアブリッジを用いたディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs 100Kgatesゲートアレイ
- GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- AlGaAs/InGaAs PHEMTの大信号動作時の劣化機構 : 高電界による半導体表面劣化(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 2.4GHz帯無線LAN用低電圧動作GaAs送受信一体化MMIC
- 76GHz帯ミリ波レーダー用低雑音ハーモニックミキサMMIC(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- 76GHz帯ミリ波レーダー用低雑音ハーモニックミキサMMIC(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション
- GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション
- C-2-3 94GHz 帯4逓倍型ハーモニックミキサMMIC
- 94GHz帯4逓倍型ハーモニックミキサMMIC
- 94GHz帯4逓倍型ハーモニックミキサMMIC
- 高周波デバイスの高電界・高湿度環境下における劣化メカニズムと信頼性改善 (特集 高周波・光デバイス)