AlGaAs/GaAs HBTの過渡応答特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GaAa系FETに比べHBTは高周波特性・パルス特性に優れ、電流密度が高いことからマイクロ波帯での高出力デバイスとして注目されている。一方、実動作時においてコレクタ電流が急激に減少する電流利得のコラプス現象が報告されている。今回、パルス特性を評価することによりコラプス現象の解析を行ったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
三井 康郎
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
紫村 輝之
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
紫村 輝之
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
石原 理
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
酒井 将行
三菱電気
-
三井 茂
三菱電気
-
中島 康晴
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
石原 理
三菱電機株式会社
-
三井 茂
三菱電機中研
-
松林 弘人
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
酒井 将行
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
石原 理
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
三井 茂
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
松林 弘人
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
関連論文
- 12 GHz帯内部整合高出力高効率HEMT
- 結合線路によりインピーダンス整合したミリ波帯MMIC増幅器
- 60GHz帯高出力PHEMT
- U帯高出力HEMT
- 1.4W, K帯小型モノリシック電力増幅器
- C-10-1 GaAs HBT RF検波回路に関する基本検討(2)(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-8 低レファレンス電圧動作HBT電力増幅器の利得・位相特性の解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 副共振器を用いたKa帯高出力モノリシックHEMT電圧制御発振器
- モノリシック発振器における位相雑音のドレイン電圧依存性に関する一考察
- Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器
- V帯モノリシックドレインミクサ
- AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMTを用いた60GHz帯MMIC直接発振器
- 980nmポンプレーザの波長変化抑制 : メトロネットワーク用980nmポンプレーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- SC-6-2 CWDM 用λ/4 位相シフト DFB レーザ
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- C-3-46 非対称量子井戸吸収層を用いた低チャープEA変調器
- 50%電力付加効率K帯MMIC増幅器
- C-10-12 マイクロ波時間波形測定によるHBTの最大動作領域解析
- C-10-8 マイクロ波時間波形測定システム
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- GSM/EDGEデユアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- GSM/EDGEデュアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- C-10-17 5GHz帯HBT-MMIC低雑音ドライバとスイッチの試作
- C-10-16 マルチフィンガーHBTの熱均一動作のためのバラスト抵抗設計
- C-2-21 F級および逆F級高効率増幅器における入力高調波負荷の影響
- SC-7-1 F級および逆F級増幅器の考察
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- C-10-8 ***電流切替回路による低電圧動作HBT電力増幅器の歪み改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ソースインダクタ装荷簡易型リニアライザによる相互変調歪特性の改善
- ソースインダクタ装荷簡易型リニアライザによる相互変調歪特性の改善
- Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器
- Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器
- Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器
- 50%電力付加効率K帯MMIC増幅器
- WSi/GaAsショットキー接合界面のキャリア捕獲とFET特性との関係
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- AlInAs/InGaAs HEMTの信頼性
- 携帯端末用HBT電力増幅器,AWAD2006)
- 携帯端末用HBT電力増幅器
- 移動体通信用900MHz帯HBT MMIC増幅器
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- ALC制御信号によるリップルが重畳したときの高出力増幅器の出力スペクトラムの計算
- TABテープを用いたUHF帯マルチチップ高出力MMIC増幅器
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器
- C-10-6 CDMA端末用2.4V低リファレンス電圧動作InGaP-HBT電力増幅器(C-10.電子デバイス,一般講演)
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- 低インピーダンスプローブによるオンウエハ大電力特性評価
- C-10-6 デュアルバンドHBT-MMIC用バンド切換スイッチ回路に関する検討
- Outside-Base/Centor-Via-Hole形HBTデュアルバンドMMIC増幅器
- C-10-2 3.2V動作GSM900/1800用HBT-MMIC電力増幅器
- 非線形シミュレーションによるループ発振抑圧用アイソレーション抵抗の決定法
- 集中定数化C帯モノリシック高出力増幅器
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器
- C-2-27 Outside-Base/Center-Via-HoleレイアウトHBTを用いたGSM900/DCS1800デュアルバンドMMIC増幅器
- ハーメチックシールパッケージにマウントしたV帯モノリシック低雑音増幅器モジュール
- Dual Gate HEMTを用いたQ帯可変利得増幅器
- Dual Gate HEMTを用いたQ帯 低雑音可変利得増幅器
- U帯高出力HEMT
- U帯高出力HEMT
- ミリ波帯オンウエハ自動評価技術
- マルチフィンガ HBT の過渡応答特性評価によるコラプス現象の解析
- AlGaAs/GaAs HBTの過渡応答特性
- コプレーナ線路型オンウェハプローブとマイクロストリップ変換部の位相変化解析
- ステップドープチャネルFETの大信号特性解析
- インパットダイオ-ドの動作解析--周波数特性
- インパットダイオ-ドの動作解析-1-大信号解析法の提案とその応用解析
- 5)高出力高信頼性PN接合GaAsインパットダイオード(テレビジョン無線技術研究会(第43回))
- 5GHz帯無線通信用InGaP/GaAs HBT MMIC低雑音増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 5GHz帯無線通信用InGaP/GaAs HBT MMIC低雑音増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- C-10-9 GaAs HBT RF検波回路の基本検討(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 GaAs AC 結合スタック型ダイオードスイッチの基本特性と減衰器への応用(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-10-12 GaAs ダイオードスイッチの RF 基本特性と増幅器への応用
- 2倍波処理回路によるUHF帯HBT増幅器の高効率化
- C-10-16 GSM用電力増幅器の出力電力制御方式に関する実験的検討(C-10.電子デバイス)
- C-4-8 43Gbps RZ-DQPSK送信器用MZ変調器集積波長可変DFBレーザアレイの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-18 RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-2-25 C帯宇宙用オンチップ高調波処理回路内臓100W GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ