RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-01-19
著者
-
杉立 厚志
三菱電機株式会社
-
紫村 輝之
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
石村 栄太郎
三菱電機株式会社
-
瀧口 透
三菱電機株式会社
-
柳楽 崇
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
外間 洋平
三菱電機株式会社高周波デバイス製作所
-
瀧口 透
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
鈴木 正人
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
境野 剛
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
山口 晴央
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
関連論文
- B-10-78 半導体光増幅器に基づく3分岐型波長変換器を用いた全光XORゲート(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- 100Gイーサネット用25Gbps EA変調器集積DFBレーザモジュール(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-26 100Gイーサネット用25.8/28Gbps EAM-LDモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 60GHz帯高出力PHEMT
- U帯高出力HEMT
- 放電中にアーク状放電が含まれないKrFエキシマレーザ発振器の開発と寿命特性
- C-10-1 GaAs HBT RF検波回路に関する基本検討(2)(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-8 低レファレンス電圧動作HBT電力増幅器の利得・位相特性の解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- C-3-55 回転駆動式ポリマ導波路光スイッチの回転角度検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-10 ポリマ導波路光スイッチの回転駆動機構の検討(光スイッチ(II),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- 10.7Gbit/s低消費電力Cooled TOSAの開発(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 10.7Gbit/s低消費電力 Cooled TOSA の開発
- C-4-4 43Gbit/sドライバ内蔵EAM-LDモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 80℃動作43Gbit/s PD-TIAモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-10-12 マイクロ波時間波形測定によるHBTの最大動作領域解析
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- GSM/EDGEデユアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- GSM/EDGEデュアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- C-10-17 5GHz帯HBT-MMIC低雑音ドライバとスイッチの試作
- C-10-16 マルチフィンガーHBTの熱均一動作のためのバラスト抵抗設計
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- C-10-8 ***電流切替回路による低電圧動作HBT電力増幅器の歪み改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-4-31 10G-EPON ONU用光モジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-22 100Gbpsイーサネット光受信モジュール用4ch-WDM光学系の開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 シリアル40Gbpsイーサネット用1.3μm EML TOSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- エキシマレーザー加工用転写光学系の開発
- 量産用KrFエキシマレーザの開発
- 10Gbit/s非冷却LDモジュールの給電回路の検討(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- B-10-64 低コスト10Gbit/s非冷却LDモジュールの開発(B-10.光通信システムB(光通信), 通信2)
- C-3-83 アクチュエータを実装した回転駆動式ポリマ導波路光スイッチ(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 100Gイーサネット用25Gbps EA変調器集積DFBレーザモジュール(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100Gイーサネット用25Gbps EA変調器集積DFBレーザモジュール(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100Gイーサネット用25Gbps EA変調器集積DFBレーザモジュール(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 2.5〜40Gbit/s NRZ 動作可能な波長変換器の開発(MP(Lambda)S, フォトニックネットワーク/制御,光波長変換・スイッチング,一般)
- 2.5〜40Gbit/s NRZ 動作可能な波長変換器の開発(MP(Lambda)S, フォトニックネットワーク/制御,光波長変換・スイッチング,一般)
- 2.5〜40Gbit/s NRZ 動作可能な波長変換器の開発(MP(Lambda)S, フォトニックネットワーク/制御,光波長変換・スイッチング,一般)
- C-4-31 光アシスト光源を集積化した波長変換器素子(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-15 非冷却 980nm 高出力 LD モジュール
- C-3-72 ポリマー導波路フィルムを用いた光スイッチに関する検討
- 980nmLDモジュールのキンクフリー光出力向上の検討
- 980nmLDモジュールのキンクフリー光出力向上の検討
- ホログラムビーム照射光学系による長周期ファイバーグレーティングの製作(2)-UV光前照射法による水素処理光感度一定化-
- ホログラムビーム照射光学系による長周期ファイバーグレーティングの製作
- C-3-56 屈折率グレーティングの経時変化解析
- 980nmLDモジュールのキンクフリー光出力向上の検討
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- 100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- 携帯端末用HBT電力増幅器,AWAD2006)
- 携帯端末用HBT電力増幅器
- CI-1-5 光ファイバ通信向けTOSA/ROSA技術(CI-1.ユビキタスネットワークを支える次世代光コンポーネント・実装技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-3-42 4チャネルWDM DEMUXを内蔵した100Gbpsイーサネット用光受信モジュールの開発(光インターコネクション・光モジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 移動体通信用900MHz帯HBT MMIC増幅器
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器
- C-10-6 CDMA端末用2.4V低リファレンス電圧動作InGaP-HBT電力増幅器(C-10.電子デバイス,一般講演)
- Outside-Base/Centor-Via-Hole形HBTデュアルバンドMMIC増幅器
- C-10-2 3.2V動作GSM900/1800用HBT-MMIC電力増幅器
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器
- C-2-27 Outside-Base/Center-Via-HoleレイアウトHBTを用いたGSM900/DCS1800デュアルバンドMMIC増幅器
- 980nmLDモジュールのキンクフリー光出力向上の検討
- U帯高出力HEMT
- U帯高出力HEMT
- マルチフィンガ HBT の過渡応答特性評価によるコラプス現象の解析
- AlGaAs/GaAs HBTの過渡応答特性
- 長周期ファイバグレーティングの曲げによる温度補償法
- C-4-13 超高精細映像伝送用25Gbps光リンクの提案(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- B-10-92 SOA-MZI型波長変換器を用いた全光XORゲート(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- C-4-10 フィードバック制御によるダイナミックレンジ拡大波長変換器の10.3Gbps動作実証(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-24 10G-EPON OLT用トリプレクサモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-60 面内テーパ構造による厚み方向Si導波路スポットサイズ変換器(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- SOA-MZI型波長変換器を用いた縦続接続可能な全光XORゲート(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- C-4-8 43Gbps RZ-DQPSK送信器用MZ変調器集積波長可変DFBレーザアレイの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-18 RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ
- SOA-MZI型波長変換器を用いた全光ネットワークコーディングの実験的検討(【光通信機器】光変復調方式,多値光変復調,コヒーレント光通信,非線形・偏波問題,分散補償デバイス,光信号処理,光測定器,光通信用ディジタル信号処理,光通信計測,光通信用LSI,誤り訂正,一般)