低電圧動作・高出力WSi/W二層ゲートSAGFET
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概要
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移動体通信分野における携帯端末の小型・軽量化、高性能化の要求に応えるためには、送信段に用いるGaAsMESFETの高性能化が必須である。今回、我々は、均一性に優れ、かつ電源電圧3.3Vで動作する高出力SAGFETを開発したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
伊藤 和彦
三菱電機株式会社
-
山本 和也
三菱電機株式会社
-
宮國 晋一
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
高野 博三
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
伊藤 和彦
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
山本 和也
三菱電機(株)
-
宮國 晋一
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮國 晋一
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
前村 公正
三菱電機
-
笠井 信之
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
笠井 信之
三菱電機株式会社
-
前村 公正
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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