高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μmSOI技術のRF/アナログ混載への応用について
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概要
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RF/アナログ混載への応用に対して高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μm SOI CMOSが提案され、その可能性が明らかされる。ハイブリッドトレンチ分離とは、分離酸化膜の下に薄いSOI層を残すパーシャルトレンチ分離と残さない完全トレンチ分離の組み合わせである。この技術を用いて作成したSOI MOSFETを評価することにより、静電誘導損失の低減によるSOI MOSFETのRF応用に対するメリットが定量的に明らかにされる。また、このSOI MOSFETの優れたボディー固定能力と高品質のオンチップインダクタが実証される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-11-23
著者
-
山本 和也
三菱電機株式会社
-
前川 繁登
三菱電機株式会社LSI研究所
-
平野 有一
三菱電機(株)
-
山口 泰男
三菱電機株式会社 LSI 研究所
-
益子 耕一郎
三菱電機株式会社システムlsi事業化推進センター
-
前田 茂伸
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
和田 佳樹
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
-
小柴 浩史
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
-
松本 拓治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
平野 有一
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
岩松 俊明
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
一法師 隆志
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
上田 公大
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
-
犬石 昌秀
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
山口 泰男
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
-
山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
-
山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
-
上田 公大
三菱電機株式会社
-
一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
-
犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
-
平野 有一
(株)ルネサステクノロジ
-
岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
小紫 浩史
システムlsi事業化推進センター:三菱電機株式会社
-
平野 有一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
前田 茂伸
三菱電機株式会社 Ulsi技術開発センター
-
前田 茂伸
Ulsi開発センター
-
和田 佳樹
三菱電機(株)システムLSI開発研究所
-
前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ
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