前川 繁登 | (株)ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ
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平野 有一
三菱電機(株)
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前田 茂伸
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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平野 有一
(株)ルネサステクノロジ
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平野 有一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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前田 茂伸
Ulsi開発センター
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
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山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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松本 拓治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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野田 英行
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部システムコア技術統括部
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有本 和民
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部システムコア技術統括部
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前川 繁登
三菱電機株式会社LSI研究所
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森下 玄
三菱電機ULSI開発研究所
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岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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行天 隆幸
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部
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森下 玄
(株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
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大路 譲
(株)ルネサステクノロジ
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堂阪 勝己
(株)ルネサステクノロジ
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岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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岡本 真子
大王電機(株)
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行天 隆幸
株式会社ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部
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前田 茂伸
三菱電機株式会社 Ulsi技術開発センター
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有本 和民
(株)ルネサステクノロジ システムソリューション統括本部 システムコア技術統括部
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野田 英行
(株)ルネサステクノロジ システムソリューション統括本部 システムコア技術統括部
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前川 繁登
三菱電機(株)LSI研究所
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山口 泰男
三菱電機(株)
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一法師 隆志
三菱電機(株)
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一法師 隆志
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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犬石 昌秀
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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山本 和也
三菱電機株式会社
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西村 正
三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター
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西村 正
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
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新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
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前田 茂伸
三菱電機(株)
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松本 拓治
三菱電機(株)
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岩松 俊明
三菱電機(株)
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犬石 昌秀
三菱電機(株)
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西村 正
三菱電機ULSI開発研究所
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大路 譲
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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堂坂 勝己
(株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
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塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
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平野 有一
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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一法師 隆志
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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犬石 昌秀
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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栗山 祐忠
三菱電機株式会社 知的財産権センター
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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西村 正
三菱電機 Ulsi開セ
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堂阪 勝己
(株)ルネサステクノロジ システムコア技術統括部
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西村 正
三菱電機株式会社 Lsi 研究所
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栗山 祐忠
三菱電機株式会社 知的財産センター
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粟津 邦男
大阪大学大学院工学研究科環境・エネルギー工学専攻
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木村 紳一郎
(株)日立製作所中央研究所
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浅川 誠
大阪大学大学院 工学研究科 自由電子レーザー研究施設
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川島 光
三菱電機(株)ULSI研究所LSIプロセス開発第4部
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松本 拓治
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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前田 茂伸
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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平野 有一
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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山口 泰男
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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前川 繁登
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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犬石 昌秀
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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新居 浩二
三菱電機(株)
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西村 正
三菱電機(株)
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井上 靖朗
三菱電機(株)
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佐山 弘和
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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山口 泰男
三菱電機ULSI開発研究所
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山口 泰男
三菱電機株式会社 LSI 研究所
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益子 耕一郎
三菱電機株式会社システムlsi事業化推進センター
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和田 佳樹
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
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小柴 浩史
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
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平野 有一
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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岩松 俊明
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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上田 公大
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
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上田 公大
三菱電機株式会社
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前川 繁登
ルネサステクノロジ
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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川島 光
株式会社ルネサステクノロジ
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佐山 弘和
三菱電機ulsi技術開発センター
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粟津 邦男
大阪大学大学院工学研究科
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尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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太田 和伸
ソニー株式会社
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山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
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太田 和伸
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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永久 克巳
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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山本 和也
三菱電機システムLSI事業統括センター
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加藤 隆幸
三菱電機高周波光素子事業統括部
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尾田 秀一
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
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土屋 龍太
日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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牧 幸生
ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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小紫 浩史
システムlsi事業化推進センター:三菱電機株式会社
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山岡 雅直
(株)日立製作所 中央研究所
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永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
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土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
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一法師 隆志
三菱電機ULSI技術開発センター
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前川 繁登
三菱電機ULSI技術開発センター
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加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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山口 泰男
三菱電機 Ulsi開研
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粟津 邦男
福井大 国際原子力工研
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辻内 幹夫
(株)ルネサステクノロジ
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池田 龍彦
(株)ルネサステクノロジ
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小松 大士
(株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
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牧 幸生
(株)ルネサステクノロジ
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堀内 勝忠
(株)日立製作所中央研究所
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浅川 誠
大阪大学自由電子レーザー研究施設
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永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
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山岡 雅直
日立製作所中央研究所
-
山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
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小原 雅信
(株)イオン工学研究所
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坪内 夏朗
大阪大学大学院 工学研究科自由電子レーザー研究施設
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粟津 邦男
大阪大学大学院 工学研究科
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加藤 隆幸
三菱電機
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粟津 邦男
大阪大学 大学院 工学研究科
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松岡 秀行
日立製作所基礎研究所
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牧 幸生
ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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佐山 弘和
三菱電機(株)
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和田 佳樹
三菱電機(株)システムLSI開発研究所
-
松岡 秀行
(株)日立製作所中央研究所
著作論文
- ボディ浮遊SOI MOSトランジスタの電流駆動能力低下メカニズムとその改善構造
- パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
- 高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μmSOI技術のRF/アナログ混載への応用について
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 部分空乏型SOIデバイス
- SOI MOS トラジスタの問題点と高性能化
- ハイブリッドトレンチ分離SOIデバイスにおけるボディ電位制御技術(半導体Si及び関連材料・評価)
- SOIを用いたキャパシタレス・ツイントランジスタRAM(TTRAM)(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- SOIを用いたキャパシタレス・ツイントランジスタRAM (TTRAM)(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- SOIを用いたキャパシタレス・ツイントランジスタRAM (TTRAM)(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- SOIを用いたキャパシタレス・ツイントランジスタRAM (TTRAM)(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 高速・高周波動作SOIデバイス技術 (特集 IT社会に貢献する半導体)
- A-7-12 多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性バラツキを利用した人工指紋デバイスの提案
- 人工指紋デバイス : ロジックLSI互換プロセスで作成した多結晶シリコンTFTによるセキュリティーの作りこみ
- 135GHz-f_ 70nm SOI-CMOS技術
- 自由電子レーザー照射によるコヒーレントフォノン励起を用いたSiの結晶回復