犬石 昌秀 | 株式会社ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
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山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
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平野 有一
三菱電機(株)
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前田 茂伸
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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犬石 昌秀
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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平野 有一
(株)ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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平野 有一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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前田 茂伸
Ulsi開発センター
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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川島 光
株式会社ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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犬石 昌秀
三菱電機(株)
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松本 拓治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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園田 賢一郎
株式会社ルネサステクノロジ
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牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
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大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
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今岡 進
株式会社ルネサスデザイン
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薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
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大林 茂樹
株式会社ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
株式会社ルネサステクノロジ
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五十嵐 元繁
株式会社ルネサステクノロジ
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竹内 雅彦
株式会社ルネサステクノロジ
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牧野 博之
株式会社ルネサステクノロジ
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塚本 和宏
株式会社ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
株式会社ルネサステクノロジ
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牧野 博之
ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
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谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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篠原 尋史
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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石川 清志
ルネサステクノロジ
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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前川 繁登
三菱電機株式会社LSI研究所
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井上 靖朗
三菱電機(株)
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一法師 隆志
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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永久 克巳
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)日立製作所中央研究所
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岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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石橋 孝一郎
ルネサスエレクトロニクス
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永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
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前田 茂伸
三菱電機株式会社 Ulsi技術開発センター
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篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
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山本 和也
三菱電機株式会社
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西村 正
三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター
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西村 正
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
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谷沢 元昭
三菱電機株式会社ULSI開発研究所
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前川 繁登
三菱電機(株)LSI研究所
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前田 茂伸
三菱電機(株)
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松本 拓治
三菱電機(株)
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岩松 俊明
三菱電機(株)
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山口 泰男
三菱電機(株)
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一法師 隆志
三菱電機(株)
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西村 正
三菱電機ULSI開発研究所
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木寺 真琴
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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石川 清志
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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谷沢 元昭
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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石川 清志
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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園田 賢一郎
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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熊本 敏夫
株式会社ルネサステクノロジ
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大路 譲
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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熊本 敏夫
ルネサステクノロジ
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佐山 弘和
三菱電機ulsi技術開発センター
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園田 賢一郎
三菱電機(株)
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尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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太田 和伸
ソニー株式会社
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河野 浩之
三菱電機(株)システムlsi事業統括部
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熊本 敏夫
三菱電機(株)システムLSI開発研究所
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大路 譲
(株)ルネサステクノロジ
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熊本 敏夫
三菱電機(株)システムlsi事業統括部
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平野 有一
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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一法師 隆志
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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栗山 祐忠
三菱電機株式会社 知的財産権センター
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小谷 教彦
広島国際大学社会環境科学部
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小谷 教彦
三菱電機株式会社ulsi開発
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西村 正
三菱電機 Ulsi開セ
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園田 賢一郎
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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西村 正
三菱電機株式会社 Lsi 研究所
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栗山 祐忠
三菱電機株式会社 知的財産センター
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石川 清志
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ
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佐藤 真一
兵庫県立大学大学院工学研究科
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内田 哲也
(株)ルネサステクノロジ
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塩沢 勝臣
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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川島 光
三菱電機(株)ULSI研究所LSIプロセス開発第4部
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松本 拓治
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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前田 茂伸
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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平野 有一
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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山口 泰男
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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前川 繁登
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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犬石 昌秀
三菱電機 (株) ULSI技術開発センター
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新居 浩二
三菱電機(株)
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西村 正
三菱電機(株)
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佐山 弘和
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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山口 泰男
三菱電機株式会社 LSI 研究所
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益子 耕一郎
三菱電機株式会社システムlsi事業化推進センター
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和田 佳樹
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
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小柴 浩史
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
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平野 有一
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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岩松 俊明
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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上田 公大
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター
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堀田 勝之
Ulsi技術開発センター
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上田 公大
三菱電機株式会社
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徳田 安紀
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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黒井 隆
Ulsi技術開発センター
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塩沢 勝臣
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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伊藤 康悦
ULSI技術開発センター
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梅田 浩司
ULSI技術開発センター
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内田 哲也
ULSI技術開発センター
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後藤 欣哉
ULSI技術開発センター
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井上 靖朗
ULSI技術開発センター
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佐藤 真一
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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犬石 昌秀
ULSI技術開発センター
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塩沢 勝臣
三菱電機(株)
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森本 博明
三菱電機ULSI技術開発センター
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尾田 秀一
三菱電機株式会社ulsi開発研究所
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西出 征男
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
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佐山 弘和
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
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太田 一伸
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
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片山 実紀
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
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井上 靖朗
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
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森本 博明
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
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太田 和伸
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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山本 和也
三菱電機システムLSI事業統括センター
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加藤 隆幸
三菱電機高周波光素子事業統括部
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尾田 秀一
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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石川 清志
株式会社ルネサステクノロジ
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西田 征男
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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小紫 浩史
システムlsi事業化推進センター:三菱電機株式会社
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加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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後藤 欣哉
株式会社ルネサステクノロジ
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山口 泰男
三菱電機 Ulsi開研
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徳田 安紀
三菱電機 先端技術総合研
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加藤 隆幸
三菱電機
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佐山 弘和
三菱電機(株)
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和田 佳樹
三菱電機(株)システムLSI開発研究所
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
著作論文
- ボディ浮遊SOI MOSトランジスタの電流駆動能力低下メカニズムとその改善構造
- パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
- 高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μmSOI技術のRF/アナログ混載への応用について
- 内壁酸化およびゲート酸化にランプ酸化法を用いたシャロートレンチ分離による逆ナローチャネル効果の抑制
- 高信頼性と高性能を両立するシステムオンチップ対応CMOS
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- A-7-12 多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性バラツキを利用した人工指紋デバイスの提案
- 人工指紋デバイス : ロジックLSI互換プロセスで作成した多結晶シリコンTFTによるセキュリティーの作りこみ
- MOSFETフリッカ雑音のばらつきのバイアス依存性
- MOSFETフリッカ雑音のばらつきのバイアス依存性
- 統計的ばらつき予測のための回路モデルパラメータ生成システムの構築
- 統計的ばらつき予測のための回路モデルパラメータ生成システムの構築