薮内 誠 | ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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概要
関連著者
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
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薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス
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塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス
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新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
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藤原 英弘
神戸大学大学院工学研究科
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藪内 誠
ルネサスエレクトロニクス
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大林 茂樹
株式会社ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
株式会社ルネサステクノロジ
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藪内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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篠原 尋史
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス
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篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
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中野 博文
ルネサスエレクトロニクス
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藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス(株)技術開発本部設計基盤開発統括部基盤メモリIP開発部
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石倉 聡
松下電器産業
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寺野 登志夫
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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山上 由展
松下電器産業
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赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体先行開発センター
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赤松 寛範
松下電器産業
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里見 勝治
松下電器産業
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寺野 登志夫
松下電器産業
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寺野登 志夫
松下電器産業
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河合 浩行
ルネサスエレクトロニクス
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石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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河合 浩行
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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田中 浩司
ルネサスエレクトロニクス
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田中 信二
ルネサスエレクトロニクス
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石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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山上 由展
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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里見 勝治
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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今岡 進
株式会社ルネサスデザイン
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五十嵐 元繁
株式会社ルネサステクノロジ
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牧野 博之
ルネサステクノロジ
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有本 和民
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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田中 信二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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大芦 敏行
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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車田 総希
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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粉谷 直樹
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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新居 浩二
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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薮内 誠
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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塚本 康正
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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大林 茂樹
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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篠原 尋史
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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粉谷 直樹
松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター
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車田 総希
松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター
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松田 吉雄
金沢大学
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前川 考志
ルネサスエレクトロニクス
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五十嵐 元繁
ルネサスエレクトロニクス
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石原 和哉
ルネサスエレクトロニクス
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中野 裕文
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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柳沢 一正
ルネサスエレクトロニクス
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中野 裕文
ルネサスエレクトロニクス
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島崎 靖久
ルネサスエレクトロニクス
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松村 哲哉
日本大学
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森 和孝
ルネサスエレクトロニクス
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梅本 由紀子
ルネサスエレクトロニクス
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石川 次郎
ルネサスエレクトロニクス
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
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山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
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川島 光
株式会社ルネサステクノロジ
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柳沢 一正
(株)ルネサステクノロジ
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竹内 雅彦
株式会社ルネサステクノロジ
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牧野 博之
株式会社ルネサステクノロジ
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塚本 和宏
株式会社ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
株式会社ルネサステクノロジ
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薮内 誠
ルネサステクノロジ
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塚本 康正
ルネサステクノロジ
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大林 茂樹
ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)日立製作所中央研究所
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石橋 孝一郎
ルネサスエレクトロニクス
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新井 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサス テクノロジ 製品技術本部
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島崎 靖久
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
田中 浩司
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
中野 裕文
ルネサス エレクトロニクス株式会社
-
藪内 誠
ルネサス エレクトロニクス株式会社
-
藤原 英弘
ルネサス エレクトロニクス株式会社
-
塚本 康正
ルネサス エレクトロニクス株式会社
-
大和田 徹
ルネサス エレクトロニクス株式会社
-
河合 浩行
ルネサス エレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサス エレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
著作論文
- ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- SRAMとオンチップメモリBISTを用いたチップ固有ID生成回路(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- SRAMのランダムアドレスエラーを用いたPUFの安定化向上手法
- 8.5 複製防止デバイスPUF : メモリPUF(第8章:セキュリティ,ディペンダブルVLSIシステム)
- 4.5 細粒度アシストバイアス制御SRAM(第4章:素子特性ばらつき,ディペンダブルVLSIシステム)
- 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 8T DP-SRAM の Write-/Read-Disturb 問題とその対策回路