低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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マルチVt非対称Halo MOSを適用した高密度6T-SRAMを提案する。Haloインプラ工程で追加するフォトマスクを工夫することで追加マスク数を2枚に削減し、低コスト化を図る。45mm世代の6T-SRAMビットセルに適用し、面積オーバーヘッドを無くすことで0.37μm^2のセルサイズを実現した。設計試作した4-Mbit SRAMを評価した結果、最低動作電圧は50mV改善し、53%のスタンバイリーク電流削減を確認できた。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-07-25
著者
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
-
松田 吉雄
金沢大学
-
薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス
-
石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス
-
藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス
-
松村 哲哉
日本大学
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
-
薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
-
石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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