デジタル電流比較器制御によるSRAM待機電力の削減(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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モバイルアプリケーション用途の高性能・低待機電力SRAMを提案する。デジタル電流比較器を利用し、温度によって最適なスタンバイモードを選択することで待機時のリーク電流を半減できる。28nm CMOSで試作した32KbのSRAMにおいて、アクセスタイム420psと0.41μAのリーク電流を達成した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-04-04
著者
-
新居 浩二
ルネサステクノロジ
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス
-
島崎 靖久
ルネサスエレクトロニクス
-
森本 薫夫
ルネサスエレクトロニクス
-
前田 徳章
ルネサスエレクトロニクス
-
小松 成亘
ルネサスエレクトロニクス
-
田中 浩二
ルネサスエレクトロニクス
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