オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価(高速デジタルLSI回路技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
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概要
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90nm CMOSテクノロジで試作した,メモリBIST(MBIST),オンチップ電源波形モニタ(OCM)のオンチップ診断機構を搭載したSRAMコアチップに対して直接電力注入(DPI)法によるイミュニティ評価を行った.電力ノイズ注入による電源電圧変動はOCMを用いて定量化し,SRAMメモリの不良ビット数と分布はMBISTにより観測した.実験の結果,高集積SRAMメモリの不良ビット発生の周波数応答が容量依存性を示すことがわかった.
- 2011-11-21
著者
-
永田 真
神戸大学大学院工学研究科情報知能学専攻
-
永田 真
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
新居 浩二
ルネサステクノロジー
-
澤田 卓也
神戸大学大学院工学研究科
-
新居 浩二
ルネサステクノロジ
-
高田 英裕
株式会社ルネサステクノロジ
-
永田 真
神戸大 大学院システム情報学研究科
-
永田 真
神戸大学大学院工学研究科
-
利川 托
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
澤田 卓也
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
永田 真
神戸大学大学院システム情報学研究科:戦略的創造研究推進事業(jst Crest)
-
吉川 薫平
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
-
高田 英裕
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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