大規模論理回路における基板雑音発生と電源寄生素子の効果
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概要
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0.25-μm, 2.5-V CMOS技術を用いて活性化率制御雑音源およびアレイ型高線形基板電位検出回路を設計・試作し、論理配置密度/活性化率を制御した基板雑音測定を実現し、大規模CMOSデジタル回路における基板/電源雑音の発生過程と電源/グラウンド配線寄生素子の効果を明らかにした。電源/グラウンド配線に空間分布する寄生インピーダンスにより雑音発生に局所性が生じる。一方、論理回路の寄生容量成分は電荷溜として雑音振幅を低減する作用を示すが、その効果は寄生インピーダンスにより遮蔽される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-08-30
著者
-
永田 真
神戸大学大学院工学研究科情報知能学専攻
-
村坂 佳隆
株式会社エイアールテック
-
森江 隆
広島大学工学部
-
永田 真
広島大学工学部
-
大本 貴文
(株)エイアールテック
-
村坂 佳隆
(株)エイアールテック
-
大本 貴文
広島大学工学部
-
岩田 ?
広島大学工学部
-
岩田 ?
広島大学工学部:(株)エイアールテック
-
村坂 佳隆
エイアールテック
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