SRAMコアにおける電源/グラウンド雑音の評価(ポスター講演,学生・若手研究会)
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概要
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SRAMの動作時における電源ノイズを評価するテストチップを90-nm CMOSプロセスにより設計・試作・評価した。本チップには,電圧を観察するためのチップ内電圧モニタ,メモリ不良ビット検知・解析のためのBIST回路、およびビットやワード構成の異なるSRAMマクロを搭載している。メモリの様々な動作条件において電源/グラウンド雑音の測定を行い、またユーザモード(任意ビットパターン)及びBISTモード(固定テストパターン)で比較した。メモリ動作時の電位変動の平均や振幅などを評価し、メモリ動作周波数に依存した電源ノイズが発生することがわかった.また本研究では、BIST回路を用いた不良ビット率(BER)や不良ビットマップ(FBM)の取得と、チップ内電圧モニタによる電源ノイズの測定を自動化する測定システムを構築し、電源ノイズと動作不良を関連付ける測定に挑戦している。
- 2010-12-09
著者
-
永田 真
神戸大学大学院工学研究科情報知能学専攻
-
永田 真
神戸大学院工学研究科情報知能学専攻
-
永田 真
神戸大学システム情報学研究科
-
澤田 卓也
神戸大学大学院工学研究科
-
永田 真
神戸大 大学院システム情報学研究科
-
永田 真
神戸大学大学院工学研究科
-
利川 托
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
桝井 翼
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
永田 真
神戸大学大学院システム情報学研究科:戦略的創造研究推進事業(jst Crest)
-
利川 托
神戸大大学院システム情報学研究科
-
桝井 翼
神戸大大学院システム情報学研究科
-
澤田 卓也
神戸大大学院システム情報学研究科
-
永田 真
神戸大大学院システム情報学研究科
-
永田 真
神戸大学工学部
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