CMOSミックストシグナル/RF回路における基板結合対策(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
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概要
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ディープnウェルガードリング(DNW-GR)は、p型高抵抗基板と組み合わせることで高周波基板結合の絶縁効果を持つ。標準的な0.25μmCMOSミックストシグナルプロセスで、抵抗率10Ωcmから3kΩcmのp型基板を用いてポート配置や形状及びガードリング構造の異なるテストパターンを設計、試作し、それぞれの基板結合絶縁特性(S21)を測定した。実測結果から、1kΩcm基板とDNW-GRを組み合わせることで、10Ωcm基板とp^+ガードリングの組み合わせと比べて1GHzでの絶縁性が20dB以上改善することを見出した。また、F行列演算に基づいて生成した基板等価回路モデルを用いてシミュレーションを行い、5GHz以上の広帯域で実測と一致することを確認した。本モデル化手法は、レイアウトレベルの絶縁効果をコンパクトかつ高精度に予測できるため、ミックストシグナル/RF設計において有用である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-08-11
著者
-
永田 真
神戸大学大学院工学研究科情報知能学専攻
-
村坂 佳隆
株式会社エイアールテック
-
岩田 穆
株式会社エイアールテック
-
永田 真
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
小坂 大輔
株式会社A-R-Tec
-
小坂 大輔
神戸大学大学院自然科学研究科
-
小坂 大輔
神戸大学 情報知能工学科
-
村坂 佳隆
エイアールテック
-
永田 真
神戸大学工学部
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