CMOS-RF回路における基板結合の評価と解析(若手研究会)
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概要
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高周波アナログ回路における基板ノイズの影響を,基板へ直接ノイズを注入することによって評価した。90nmプロセス2.45GHz帯のCMOS RFドライバアンプを使用し,ガードバンドのp^+を通じP基板に直接ノイズを注入,出力に現れるノイズの周波数成分や高調波成分を測定した。シミュレーションにおいて,素子の基板との結合,プローブ,パッド,主要な配線容量,ウェル,シリコン基板をモデル化を行い,出力されるノイズの一次成分を2dB以下の誤差で再現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-12-07
著者
-
永田 真
神戸大学大学院工学研究科情報知能学専攻
-
永田 真
神戸大 大学院システム情報学研究科
-
永田 真
神戸大学大学院システム情報学研究科:戦略的創造研究推進事業(jst Crest)
-
東 直矢
神戸大学
-
永田 真
神戸大学
-
永田 真
神戸大学工学部
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