電源雑音とプロセッサ動作エラーのオンチップ評価技術(若手研究会)
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概要
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CMOSデジタルLSIの論理動作は電源電圧降下に対し高感度であり,過大な電圧降下は動作エラーを引き起こす.本稿では90-nmプロセスの32-bitマイクロプロセッサで発生する電源電圧変動を埋め込み型雑音検出回路で観測し,命令レベルプログラミングによりプロセッサの論理動作エラーを解析する.電圧降下量と活性化論理パスの組み合わせにより,エラーの種類と感度を特徴付けることができる.本稿で示す実験的評価結果はデジタルLSIの論理動作における電源雑音の影響について深い知見を提供する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-12-07
著者
-
永田 真
神戸大学大学院工学研究科情報知能学専攻
-
永田 真
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
永田 真
神戸大学:株式会社a-r-tec
-
深澤 光弥
株式会社ルネサステクノロジ
-
永田 真
神戸大 大学院システム情報学研究科
-
永田 真
神戸大学工学部
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