LTE級携帯端末におけるRFIC受信部の低ノイズ化技術 : 近傍磁界ノイズ計測・対策の立場から(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
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概要
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LTE世代の端末開発では,無線通信用RFICに制御や校正等の目的で100万ゲート以上のデジタル回路が搭載される.このためデジタル回路で発生したノイズが同一チップ上のアナログ受信部に混入し,受信感度の確保を困難とする課題を解決する必要に迫られている.本講演ではその概要説明と,電流ノイズを近傍磁界として計測するためのツール開発,磁性体を持いたオンチップノイズ抑制技術などを紹介する.
- 2011-07-14
著者
-
永田 真
神戸大学大学院工学研究科情報知能学専攻
-
永田 真
神戸大学院工学研究科情報知能学専攻
-
永田 真
神戸大学工学部情報知能工学科
-
永田 真
神戸大学システム情報学研究科
-
山口 正洋
東北大学工学部
-
遠藤 恭
東北大学工学研究科電気通信工学専攻
-
山口 正洋
東北大学
-
山口 正洋
東北大学大学院工学研究科
-
永田 真
神戸大 大学院システム情報学研究科
-
永田 真
神戸大学大学院工学研究科
-
永田 真
神戸大学大学院システム情報学研究科:戦略的創造研究推進事業(jst Crest)
-
遠藤 恭
東北大学大学院工学研究科
-
永田 真
神戸大学工学部
-
山口 正洋
東北大学工学研究科電気通信工学専攻
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