1GHzデジタル回路の基板雑音評価(VLSI一般(ISSCC2005特集))
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概要
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次世代の高機能・高性能SoCの設計では, GHzオーバーの周波数で動作するデジタル回路部と高感度なRF信号処理部との間の基板クロストーク対策が必須となる.本稿では, 1.2Vスタンダードセルで構成されたループシフトレジスタを用いて, 90nm CMOSテクノロジーにおけるGHz領域での基板雑音を評価した.GHz領域では, MOSFET内部の寄生容量により, 回路の電源/グラウンド結合が強くなり, 一方で基板への雑音注入が緩和される傾向にあることを示した.GHz領域における基板雑音解析には, MOSFETデバイスレベルの基板結合と回路レベルの電源/グラウンド/基板結合の効果をとりこむ必要がある.
- 2005-05-20
著者
-
永田 真
神戸大学大学院工学研究科情報知能学専攻
-
深澤 光弥
神戸大学大学院自然科学研究科
-
濱西 直之
株式会社東芝
-
塩地 正純
株式会社東芝
-
飯田 哲也
株式会社東芝
-
渡邊 淳一郎
東芝情報システム株式会社
-
村坂 佳隆
株式会社エイアールテック
-
岩田 穆
株式会社エイアールテック
-
永田 真
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
深澤 光弥
株式会社ルネサステクノロジ
-
村坂 佳隆
エイアールテック
-
永田 真
神戸大学工学部
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