高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較
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概要
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- 2003-12-12
著者
-
新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
-
新居 浩二
ルネサステクノロジー
-
山上 由展
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
-
新居 浩二
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
塚本 康正
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
今岡 進
株式会社ルネサスデザイン
-
塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
-
牧野 博之
ルネサステクノロジ
-
今岡 進
(株)ルネサスデザイン
-
吉澤 知晃
ルネサステクノロジ
-
鈴木 利一
松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター
-
柴山 晃徳
松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター
-
吉澤 知晃
(株)ルネサステクノロジ
-
鈴木 利一
松下電器産業
-
柴山 晃徳
松下電器産業株式会社
-
山上 由展
松下電器産業
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
新居 浩二
ルネサステクノロジ
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