部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
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概要
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SOI/CMOSデバイスは接合容量やバックゲートバイアス効果が小さく, 低電圧/低消費電力LSIの有力なデバイス候補として期待されている. しかしながら, キング特性, 低耐圧, 遅延時間の不安定性が部分空き型SOI/CMOSデバイスの実用化を妨げていた. 本論文では, 0.35μm部分空乏型SOI/CMOSトランジスタを用いた220KGゲートアレイについて述べる. 本ゲートアレイでは, べーシックセル構造と電源線配置の最適化により, 上記問題点を解決するとともにbulk/CMOSとのライプラリの共有化を可能にしている. 本SOI/CMOSゲートアレイは電源電圧2.0Vで動作し, 通常の3.3V版 bulk/CMOSゲートアレイに比べて約65%低消費電力で動作する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-24
著者
-
上田 公大
三菱電機(株) システムLSI研究所
-
新居 浩二
三菱電機(株)
-
和田 佳樹
三菱電機(株)
-
益子 耕一郎
三菱電機(株)
-
益子 耕一郎
三菱電機株式会社システムlsi事業化推進センター
-
前田 茂伸
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
廣田 尊則
三菱電機(株)システムLSI事業統括部
-
浜野 尚徳
三菱電機(株)システムLSI事業統括部
-
前田 茂伸
ULSI開発研究所
-
岩松 俊明
ULSI開発研究所
-
山口 泰男
ULSI開発研究所
-
一法師 隆志
ULSI開発研究所
-
前川 繁登
ULSI開発研究所
-
山口 泰男
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
-
山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
-
山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
-
上田 公大
三菱電機株式会社
-
一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
新居 浩二
ルネサステクノロジー
-
岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
前田 茂伸
Ulsi開発センター
-
和田 佳樹
三菱電機(株)システムLSI開発研究所
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