完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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概要

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• 65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルのセル電流ばらつきを評価し,バルクSRAMセルと比較した. SOTB SRAMセルではバルクSRAMセルと比較してセル電流ばらつきを大幅に抑制できることを実測で示し,その主な原因がV_<TH>ばらつきの低減であり,他のパラメータの効果は小さいことを明らかにした.

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2013-07-25

著者

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 杉井 信之

  (株)日立製作所中央研究所

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 水谷 朋子

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• 杉井 信之

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 篠原 博文

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 篠原 博文

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

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