超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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CMOSの超低電力化への要求は相変わらず大きい.消費電力効率を出来るだけ高めた超低電圧動作CMOSデバイスが実現できれば,ユビキタスセンサネットワークなどへの広汎な応用が期待できる.現代の微細CMOSにおける超低電圧動作に対する主要課題は,トランジスタ特性のばらつきを抑え,かつ適応制御によって可能な限り低電圧で要求に見合う回路性能を引き出すことである.この課題を解決するために,我々は薄膜BOX-SOI(SOTB)というCMOSトランジスタを開発している.本報告では, SOTBの特長,超低電圧動作に向けたデバイス・プロセス技術,応用分野を拡大するためのデバイス・回路連携に関して述べる.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-07-26
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
-
杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
-
山口 泰男
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
-
山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
-
山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
-
岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
水谷 朋子
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Hiramoto T
Univ. Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
蒲原 史朗
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
杉井 信之
超低電圧デバイス技術研究組合
-
岩松 俊明
超低電圧デバイス技術研究組合
-
山本 芳樹
超低電圧デバイス技術研究組合
-
槇山 秀樹
超低電圧デバイス技術研究組合
-
角村 貴昭
超低電圧デバイス技術研究組合
-
篠原 博文
超低電圧デバイス技術研究組合
-
青野 英樹
超低電圧デバイス技術研究組合
-
尾田 秀一
超低電圧デバイス技術研究組合
-
山口 泰男
超低電圧デバイス技術研究組合
-
篠原 博文
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
槇山 秀樹
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
-
槇山 秀樹
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
山口 泰男
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
山本 芳樹
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
-
山本 芳樹
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
尾田 秀一
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
岩松 俊明
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
青野 英樹
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
蒲原 史朗
超低電圧デバイス技術研究組合
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