岩松 俊明 | 超低電圧デバイス技術研究組合

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概要

• 同名の論文著者
• 超低電圧デバイス技術研究組合の論文著者

関連著者

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 水谷 朋子

  東京大学生産技術研究所

• 杉井 信之

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 角村 貴昭

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 篠原 博文

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 杉井 信之

  (株)日立製作所中央研究所

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• 山口 泰男

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 尾田 秀一

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Hiramoto T

  Univ. Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

• 青野 英樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 篠原 博文

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 蒲原 史朗

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 蒲原 史朗

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 山口 泰男

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 山口 泰男

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 角村 貴昭

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 石橋 孝一郎

  電気通信大学

• 杉井 信之

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 青野 英樹

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

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著作論文

• 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))
• 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX(SOTB)MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき
• 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術

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