完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX(SOTB)MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき
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概要
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- 2012-07-26
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
水谷 朋子
東京大学生産技術研究所
-
杉井 信之
超低電圧デバイス技術研究組合
-
岩松 俊明
超低電圧デバイス技術研究組合
-
山本 芳樹
超低電圧デバイス技術研究組合
-
槇山 秀樹
超低電圧デバイス技術研究組合
-
角村 貴昭
超低電圧デバイス技術研究組合
-
尾田 秀一
超低電圧デバイス技術研究組合
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